광고

‘3세대 10나노급 D램’으로 초격차 벌리는 삼성전자

2세대 양산 16개월 만에 또 한 번 ‘세계 최초’ 타이틀

성상영 기자 | 기사입력 2019/03/21 [11:00]

‘3세대 10나노급 D램’으로 초격차 벌리는 삼성전자

2세대 양산 16개월 만에 또 한 번 ‘세계 최초’ 타이틀

성상영 기자 | 입력 : 2019/03/21 [11:00]

미세공정 한계 극복하며 초격차과시

생산성 20% 향상, 전력효율 크게 개선

 

삼성전자가 세계 최초로 3세대 10나노급(1z) D램을 개발하며 메모리 분야의 초()격차를 또 한 번 벌렸다.

 

삼성전자는 213세대 10나노급 8Gb DDR4 D램을 개발했다고 밝혔다. 2세대 10나노급(1y) D램을 양산한 지 16개월 만의 성과로서 또 다시 역대 최고로 미세공정 한계를 극복했다는 평가가 나온다.

 

▲ 삼성전자가 3세대 10나노급 8Gb DDR4 D램을 개발했다. (사진제공=삼성전자)

 

3세대 10나노급 D램은 초고가의 EUV(극자외선) 장비를 사용하지 않고도 기존 10나노급 D램보다 생산성이 20% 이상 향상됐고, 속도 증가로 전력효율 역시 개선됐다. 3세대 10나노급 D램 기반 PCDDR4 모듈로 글로벌 CPU 업체의 모든 평가 항목에서 승인을 완료해 글로벌 IT 고객의 수요를 본격적으로 확대할 수 있게 됐다.

 

삼성전자는 올 하반기에 3세대 10나노급 D램을 양산한다는 계획이다. 2020년에는 성능과 용량을 동시에 높인 차세대 DDR5, LPDDR5 D램 공급에 나서는 등 최첨단 공정을 기반으로 프리미엄 메모리에서의 기술 리더십을 더욱 강화할 방침이다. DDR5 메모리의 속도는 DDR4보다 두 배 빠르다.

 

아울러 글로벌 주요 고객들과 차세대 시스템 개발 단계부터 적극 협력해 글로벌 시장을 차세대 라인업으로 빠르게 전환시킨다는 전망도 내놨다.

 

이정배 삼성전자 메모리사업부 DRAM개발실 부사장은 미세공정 한계를 극복한 혁신적인 D램 기술 개발로 초고속 초절전 차세대 라인업을 적기에 출시하게 됐다향후 프리미엄 D램 라인업을 지속적으로 늘려 글로벌 고객의 차세대 시스템 적기 출시 및 프리미엄 메모리 시장의 빠른 성장세를 실현할 것이라고 강조했다.

 

한편 삼성전자는 현재 평택공장의 최신 D램 라인에서 주력 제품의 생산 비중을 확대해 글로벌 수요에 대응하고 있다. 2020년에는 평택공장에 차세대 프리미엄 D램의 수요 확대를 반영한 안정적 양산 체제를 구축할 예정이다.

 

문화저널21 성상영 기자

닉네임 패스워드 도배방지 숫자 입력
내용
기사 내용과 관련이 없는 글, 욕설을 사용하는 등 타인의 명예를 훼손하는 글은 관리자에 의해 예고 없이 임의 삭제될 수 있으므로 주의하시기 바랍니다.
 
광고
광고
광고
광고